記憶RAM SRAMの破片1Mビット128K自動車8PDIP 23LC1024-E/P 23LC1024-I/P
EU RoHS |
迎合的 |
ECCN (米国) |
EAR99 |
部分の状態 |
活動的 |
自動車 |
いいえ |
PPAP |
いいえ |
破片密度(ビット) |
2K |
構成 |
256x8 |
プログラム可能性 |
はい |
データ保持(年) |
200 (分) |
最高。アクセス時間(ns) |
900 |
最高の動作周波数(MHz) |
0.4 |
インターフェイスの種類 |
連続I2C |
最低の作動の供給電圧(v) |
1.7 |
典型的な作動の供給電圧(v) |
1.8|2.5|3.3|5 |
最高の作動の供給電圧(v) |
5.5 |
プログラミングの電圧(v) |
1.7から5.5 |
動作電流(mA) |
3 |
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